发明名称 一种氧化锌纳米树结构的制备方法
摘要 本发明提供了一种氧化锌纳米树的制备方法,属于半导体纳米材料技术领域。本发明所述制备方法的步骤包括:电化学沉积法制备氧化锌纳米棒;溶胶法制备氧化锌的种子层溶液;放置后进行提拉种子层,放置过夜;再进行热处理;最后水热法生长纳米树分支。本发明采用的方法简便,操作容易,对环境无害。
申请公布号 CN104229868A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410473743.0 申请日期 2014.09.17
申请人 上海大学 发明人 曹娇;任鑫;袁帅;施利毅
分类号 C01G9/02(2006.01)I 主分类号 C01G9/02(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 顾勇华
主权项 一种氧化锌纳米树结构的制备方法,其特征在于包括如下的过程和步骤:  a. 将FTO玻璃依次用丙酮、乙醇、去离子水超声洗涤5‑15min;  b. 称取一定量硝酸锌和六亚甲基四胺溶于去离子水中配制成0.01~0.05mol/L的电化学沉积液;    c. 以干净的FTO玻璃作为工作电极,铂片电极作为对电极,进行电化学沉积;然后用去离子水清洗,得到ZnO纳米棒;  d. 配制种子层溶液;取0.075~0.1mol醋酸锌和0.075~0.1mol乙醇胺溶于100ml的乙二醇甲醚中; 或者取0.075~0.1mol醋酸锌和0.075~0.1mol乙醇胺溶于100ml的异丙醇中,混合后在40~60℃搅拌下保持2~3h;配制得种子层溶液;  e. 将生长有ZnO纳米棒的FTO玻璃浸泡在上述种子层溶液中,进行提拉;次数为1~8次;浸泡时间为10~20s,干燥时间为100~120s;然后取出,放置12小时以上;  f. 进行煅烧;温度为500~550℃,时间0.5~1h,冷却至室温后取出;  g. 进行二次生长;将试样放于25~50mMol/L硝酸锌和等量的六亚甲基四胺的水溶液中,在搅拌的条件下,溶液温度保持在75~95℃,生长时间为1~2h;取出清洗后得到ZnO纳米树;所得到的ZnO纳米树的直径为800~1200 nm,高度为3000~6000 nm,纳米树分支长度为200~400 nm。
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