发明名称 阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器
摘要 本发明公开了一种阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示器,用以提高TFT-LCD的画面质量。该方法包括:形成至少包含有栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和像素电极的基板;在所述基板上形成平坦层;在所述平坦层上形成凹槽;以及,在所述凹槽内设置第一支撑物。
申请公布号 CN102629583B 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201110361851.5 申请日期 2011.11.15
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 木素真
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:形成包含薄膜晶体管TFT的基板,所述薄膜晶体管TFT至少包含有栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极和像素电极;在所述基板上形成平坦层;在所述平坦层的上表面,涂覆光刻胶;通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光处理;通过显影和刻蚀处理,在与薄膜晶体管TFT对应的位置上形成凹槽,其中所述掩膜板与形成所述有源层所使用的掩膜板相同;以及,在所述凹槽内设置第一支撑物。
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