非易失性存储器结构

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括有一基底，其中有第一、第二以及第三有源区域沿着第一方向排成一列并通过绝缘区域互相隔开，所述绝缘区域包括第一中介绝缘区，其介于第一与第二有源区域间，第二中介绝缘区，其介于第二与第三有源区域间；第一选择晶体管，其位于第一有源区域上；浮动栅极晶体管，其位于第二有源区域上并与第一选择晶体管耦接，且包括一浮动栅极，其完全与第二有源区域重叠而与第一、第二中介绝缘区部分重叠；以及第二选择晶体管，其位于第三有源区域上并与浮动栅极晶体管耦接，其中第二选择晶体管具有一字线沿着所述第二方向延伸。

主权项

一种非易失性存储器结构，其特征在于，包括：一第一导电型半导体基底，其上具有一第一有源区域、一第二有源区域以及一第三有源区域，所述第一有源区域、所述第二有源区域和第三有源区域沿着一第一方向排成一列并通过一绝缘区域互相隔开，其中所述绝缘区域包括一第一中介绝缘区和第二中介绝缘区，所述第一中介绝缘区介于所述第一有源区域与所述第二有源区域之间，所述第二中介绝缘区介于所述第二有源区域与所述第三有源区域之间；一第一选择晶体管，位于所述第一有源区域上并具有一选择栅极沿着一第二方向延伸；一浮动栅极晶体管，位于所述第二有源区域上，其中所述浮动栅极晶体管与所述第一选择晶体管耦接，且所述浮动栅极晶体管包括一浮动栅极，所述浮动栅极与下方的所述第二有源区域完全重叠并与所述第一中介绝缘区及第二中介绝缘区部分重叠；以及一第二选择晶体管，位于所述第三有源区域上并与所述浮动栅极晶体管耦接，其中所述第二选择晶体管具有一字线沿着所述第二方向延伸。