发明名称 | 金属栅极晶体管的形成方法 | ||
摘要 | 一种金属栅极晶体管的形成方法,包括:提供衬底;在衬底正面上形成伪栅极;在衬底正面上形成第一层间介质层,进行平坦化直至露出伪栅极;去除伪栅极以形成沟槽;形成金属栅极叠层,覆盖第一层间介质层并填充沟槽,进行平坦化以在沟槽内形成金属栅极;形成金属栅极之后,对衬底正面进行边缘清洁处理,以使衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层被去除。由于增加了对衬底正面进行边缘清洁处理的步骤,使得衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层有被去除,且形成第二层间介质层之后,第二层间介质层能够牢靠地附着在衬底上,因此消除了第二层间介质层的边缘部分和金属栅极叠层剥离的问题,进而能够提高晶体管的性能。 | ||
申请公布号 | CN104241129A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
申请号 | CN201310231961.9 | 申请日期 | 2013.06.09 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘焕新 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种金属栅极晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底正面上形成伪栅极;在所述衬底正面上形成第一层间介质层,对所述第一层间介质层进行平坦化直至露出所述伪栅极;去除所述伪栅极以形成沟槽;形成金属栅极叠层,覆盖所述第一层间介质层并填充所述沟槽,对所述金属栅极叠层进行平坦化以在所述沟槽内形成金属栅极;形成所述金属栅极之后,对所述衬底正面进行边缘清洁处理,以使所述衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层被去除;对所述衬底正面进行边缘清洁处理包括:形成光刻胶层,覆盖所述衬底正面和金属栅极;对所述光刻胶层进行洗边处理,以去除所述光刻胶层的边缘部分、并露出所述环形区域上的金属栅极叠层;以洗边处理后的所述光刻胶层为掩模,去除所述环形区域上的金属栅极叠层;去除所述环形区域上的金属栅极叠层之后,去除洗边处理后的所述光刻胶层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |