| 发明名称 | 形成多晶硅薄膜的方法及薄膜晶体管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种形成多晶硅薄膜的方法及应用该形成多晶硅薄膜的方法的薄膜晶体管制造方法。形成多晶硅薄膜的方法包括：步骤10：在基板上沉积第一非晶硅薄膜；步骤20：进行激光退火工艺，使用激光照射所述第一非晶硅薄膜，将所述第一非晶硅薄膜加热熔化生成第一多晶硅薄膜；步骤30：用氩离子轰击生成的所述第一多晶硅薄膜的表面，生成第二非晶硅薄膜；以及步骤40：进行激光活化步骤，使所述第二非晶硅薄膜的晶格重置，形成第二多晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104241140A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410499658.1 | 申请日期 | 2014.09.25 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 呂明仁;钟尚骅;吴建宏;彭思君 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 李昕巍;郑特强 |
| 主权项 | 一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：步骤A：在基板上沉积第一非晶硅薄膜；步骤B：进行激光退火工艺，使所述第一非晶硅薄膜转化为第一多晶硅薄膜；步骤C：用氩离子轰击所述第一多晶硅薄膜的表面，使所述第一多晶硅薄膜转化为第二非晶硅薄膜；以及步骤D：进行活化步骤，形成第二多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||