| 发明名称 | 一种封装高度可控的扇出型封装结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种封装高度可控的扇出型封装结构及制造方法，所述结构包括芯片、再布线层、限高块、凸点，其中，所述芯片设置在所述再布线层上，其中所述芯片距离所述再布线层具有第一距离；所述限高块设置在所述再布线层上，其中所述限高块距离所述再布线层具有第二距离；所述凸点设置在所述芯片上，且所述凸点的第一部分露出所述再布线层；其中，所述再布线层、所述限高块、所述芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离大于所述第一距离。本发明通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104241216A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410292899.9 | 申请日期 | 2014.06.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明人 | 于中尧 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 一种封装高度可控的扇出型封装结构，其特征在于，所述结构包括：芯片；再布线层，所述芯片设置在所述再布线层上，其中所述芯片距离所述再布线层具有第一距离；限高块，所述限高块设置在所述再布线层上，其中所述限高块距离所述再布线层具有第二距离；凸点，所述凸点设置在所述芯片上，且所述凸点的第一部分露出所述再布线层；其中，所述再布线层、所述限高块、所述芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离大于所述第一距离。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||