| 发明名称 | 可变电阻存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种可变电阻存储器件及其制造方法。所述可变电阻存储器件可以包括：多层绝缘层，形成在半导体衬底上，在半导体衬底上形成有下电极。多层绝缘层可以包括同心地形成在其中的第一孔和第二孔以暴露出下电极，其中，第一孔的直径比第二孔的直径大。可变电阻材料层可以形成在第二孔中以接触下电极，并且上电极可以形成在第一孔中以接触可变电阻材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN104241524A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310556978.1 | 申请日期 | 2013.11.11 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金玟锡;尹孝燮 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;李少丹 |
| 主权项 | 一种可变电阻存储器件，包括：多层绝缘层，所述多层绝缘层形成在半导体衬底上，在所述半导体衬底上形成有下电极，所述多层绝缘层包括同心地形成在其中的第一孔和第二孔以暴露出所述下电极，其中，所述第一孔的直径比所述第二孔的直径大；可变电阻材料层，所述可变电阻材料层形成在所述第二孔中以接触所述下电极；以及上电极，所述上电极形成在所述第一孔中以接触所述可变电阻材料层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||