| 发明名称 | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种隧穿场效应晶体管，栅堆叠和衬底之间具有交界线，其源区的侧壁经阻挡层接于衬底，且至少靠近栅堆叠的部分所述阻挡层与所述交界线之间的夹角小于90°。还提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法。均利于增加导通电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102544099B | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201010620557.7 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 骆志炯;王鹤飞 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种隧穿场效应晶体管，包括，栅堆叠，所述栅堆叠形成于衬底上，所述栅堆叠和所述衬底之间具有交界线；源区，所述源区嵌于所述衬底中且位于所述栅堆叠一侧，所述源区包含侧壁和底壁；其特征在于：阻挡层，保形地位于所述侧壁和部分所述底壁上；所述侧壁经所述阻挡层接于所述衬底，且至少靠近所述栅堆叠的部分所述阻挡层与所述交界线之间的夹角小于90°。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||