| 发明名称 | 稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法，其化学式为RE<sup>3+</sup>:PbClF，其中稀土离子RE<sup>3+</sup>选自Yb<sup>3+</sup>、Nd<sup>3+</sup>、Tm<sup>3+</sup>、Ho<sup>3+</sup>、Pr<sup>3+</sup>、Ce<sup>3+</sup>和Er<sup>3+</sup>中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN102605425B | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201210114614.3 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 王庆国;徐军;苏良碧;郑丽和;李红军;徐晓东 |
| 分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体，其化学式为RE<sup>3+</sup>:PbClF，其中稀土离子RE<sup>3+</sup>选自Yb<sup>3+</sup>、Nd<sup>3+</sup>、Tm<sup>3+</sup>、Ho<sup>3+</sup>、Pr<sup>3+</sup>、Ce<sup>3+</sup>和Er<sup>3+</sup>中的至少一种，其中，所述稀土离子RE<sup>3+</sup>的掺杂量为0.2～2mol%。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||