Verfahren zur Herstellung eines Corner-Transistors und Corner-Transistor

摘要

Verfahren zum Herstellen eines Corner-Transistors, umfassend: Bilden einer Isolationsstruktur in einem Substrat, um einen aktiven Bereich zu definieren; Ausführen eines Behandlungsverfahrens, um dem Substrat in dem aktiven Bereich an der oberen Kante eine Kante zu geben, die einen spitzen Winkel einschließt; Bedecken des Substrats im aktiven Bereich mit einer Gate-Dielektrikumsschicht; Bilden eines Gate-Leiters über der Gate-Dielektrikumsschicht; und Bilden eines Source-Bereichs und eines Drain-Bereichs in dem Substrat neben dem Gate-Leiter.