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<p>SOI 웨이퍼는 압축 응력받은 매립 절연체 구조체를 포함한다. 한 실시예에서, 응력받은 매립 절연체(BOX)는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 층을 형성시킴으로써 호스트 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며 이에 따라 실리콘 질화물 층은 압축 응력을 받는다.웨이퍼 결합은 응력받은 절연체 층 상부에 표면 실리콘층을 제공한다. 본 발명의 바람직한 실시는 SOI 기판의 표면 상에 트랜지스터 활성 영역을 정의하기 위하여 응력받은 BOX 구조체를 갖는 바람직한 SOI 기판 내로 분리 트렌치를 에칭시켜 MOS 트랜지스터를 형성한다. 가장 바람직하게는 트렌치는 응력받은 BOX 구조체를 관통하여 기판의 하부 실리콘 영역 내로 일정 거리만큼 침투하기에 충분한 깊이로 형성된다. 상부 실리콘 활성 영역은 탄성 에지 이완에 의해 유발된 인장 응력을 가질 것이다.</p> |
