发明名称 SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH INSULATED THROUGH SILICON VIA
摘要 여기에서 기술되는 기법은 일반적으로 적층 반도체 구조와 연관된다. 일부 예시에서, 폴리이미드 필름을 형성하는 방법이 기술된다. 예시적인 방법은 다수의 겹쳐 쌓인 반도체 층을 포함하는 적층 반도체 구조 내에 스루홀을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 적층 반도체 구조의 내부 벽은 스루홀을 정의할 수 있다. 내부 벽 상에 침전될 수 있는 폴리아믹산 염 및/또는 폴리아믹산을 포함하는 용액에 내부 벽은 노출될 수 있다. 내부 벽 상에 침전된 폴리아믹산은 내부 벽을 실질적으로 코팅하는 폴리이미드 필름으로 변형될 수 있다.
申请公布号 KR101475852(B1) 申请公布日期 2014.12.23
申请号 KR20137013678 申请日期 2010.11.02
申请人 发明人
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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