| 摘要 |
<p>메모리 셀 어레이의 복수의 메모리 셀들(C)에 저장된 데이터를 감지하기 위한 차동 센스 증폭기로서, 제 1 비트 라인(BL)에 접속된 출력 및 상기 제 1 비트 라인에 상보형인 제 2 비트 라인(/BL)에 접속된 입력을 가진 제 1 CMOS 인버터, 상기 제 2 비트 라인(/BL)에 접속된 출력 및 상기 제 1 비트 라인(BL)에 접속된 입력을 가진 제 2 CMOS 인버터를 구비하고, 각각의 CMOS 인버터는 풀-업 트랜지스터(pull-up transitor)(M21, M22), 및 풀-다운 트랜지스터(pull-down transitor)(M31, M32)를 포함하고, 풀-업 트랜지스터들(M21, M22) 또는 풀-다운 트랜지스터들(M31, M32)의 소스들은, 트랜지스터의 소스들과 전압 소스 사이에 중간 트랜지스터 없이, 풀 업 전압 소스 또는 풀-다운 전압 소스에 전기적으로 연결 및 접속된다.</p> |
