光二极体之制造方法及光二极体

摘要

藉由对半导体基板2进行乾式蚀刻直至绝缘层4露出为止，而将贯通半导体基板2到达绝缘层4之孔H1形成于与光感应区域S1对应之位置。其次，于n+型埋入层6之露出于孔H1之表面7上形成不规则之凹凸22。若对绝缘层4之n+型埋入层6之露出于孔H1之表面照射皮秒～飞秒脉冲雷射光，则绝缘层4被除去，并且n+型埋入层6之露出于孔H1之表面7受到皮秒~飞秒脉冲雷射光破坏，而于表面7之整个表面上形成不规则之凹凸22。继而，对形成有不规则之凹凸22之基板进行热处理。

主权项

一种光二极体之制造方法，其特征在于包括以下步骤：准备矽基板，该矽基板包含：半导体基板，其具有相互对向之第1主面及第2主面；绝缘层，其设置于上述半导体基板之上述第2主面上；第1导电型之第1杂质区域，其设置于上述绝缘层上；及第1导电型之低浓度杂质区域，其设置于上述第1杂质区域上并且杂质浓度较上述第1杂质区域更低；于上述低浓度杂质区域内形成包含第2导电型之杂质区域之光感应区域；藉由将上述第1杂质区域及上述低浓度杂质区域整形为台面状，而形成包含上述光感应区域之半导体台面部；将具有较上述低浓度杂质区域更高之杂质浓度的第1导电型之第2杂质区域形成于上述半导体台面部之表面，并且将具有较上述低浓度杂质区域更高之杂质浓度的第1导电型之第3杂质区域形成于上述半导体台面部之侧面，且使上述第1杂质区域、上述第2杂质区域及上述第3杂质区域电性连接；将上述半导体基板中之与上述光感应区域对应之部分自上述第1主面侧起薄化，而残留该部分之周边部分；自上述第1主面侧对上述矽基板之已薄化之部分照射脉冲雷射光，而形成不规则之凹凸；于形成不规则之上述凹凸之上述步骤之后，对上述矽基板进行热处理；以及于对上述矽基板进行热处理之步骤之后，以与上述光感应区域之上述杂质区域电性连接之方式于上述半导体台面部上形成第1电极，并且以与上述第2杂质区域电性连接之方式于上述半导体台面部上形成第2电极。