半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基底、一堆叠结构及一掺杂层。堆叠结构形成于基底上，其中堆叠结构系包括数条导电条纹及数条绝缘条纹，该些导电条纹之一者位于相邻二绝缘条纹之间，堆叠结构具有一第一侧壁，第一侧壁之长边沿一通道方向延伸。掺杂层形成于第一侧壁中，掺杂层系由一离子布植作用于第一侧壁所形成，其中离子布植之一布植方向与第一侧壁夹一锐角。

主权项

一种半导体结构，包括：一基底；一堆叠结构，形成于该基底上，其中该堆叠结构系包括复数条导电条纹及复数条绝缘条纹，该些导电条纹之一者位于相邻二该绝缘条纹之间，该堆叠结构具有一第一侧壁，该第一侧壁之长边沿一通道方向延伸；以及一掺杂层，形成于该第一侧壁中，该掺杂层系由一离子布植作用于该第一侧壁所形成，其中该离子布植之一布植方向与该第一侧壁夹一锐角。