发明名称 |
多晶矽晶片、多晶矽晶锭及制造多晶矽晶锭之方法 |
摘要 |
本发明系提出一种关于降低铸造多晶矽晶锭内缺陷的密度的结晶结构与方法,该多晶矽晶锭系用于多晶矽太阳能电池之矽晶片之基板。本发明的重点为限制传统铸造多晶矽有的树枝状结晶的结晶结构之成长,以限制晶粒的尺寸与形状。透过如此的结晶结构可以减少树枝状结晶成长时,各个大型晶体交错导致的缺陷集中区,从而降低矽晶锭内缺陷密度并大幅提升太阳能电池的开路电压以及转换效率。本发明之特征包括a)矽晶片主要由尺寸较均匀的结晶晶粒所组成;b)结晶晶粒之长径与短径比值系不大于3或结晶晶粒之长宽比值(aspect ratio)系不大于3;c)矽晶片主要由接近圆形的结晶晶粒所组成;及d)圆度介于0.4~1.0。 |
申请公布号 |
TWI465615 |
申请公布日期 |
2014.12.21 |
申请号 |
TW102108265 |
申请日期 |
2013.03.08 |
申请人 |
国硕科技工业股份有限公司 新竹县湖口乡工业一路3号 |
发明人 |
黄颂修;蓝明姿;朱釜萱;黄郁仁 |
分类号 |
C30B11/00;C30B29/06 |
主分类号 |
C30B11/00 |
代理机构 |
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代理人 |
赖安国 台北市信义区东兴路37号9楼;王立成 台北市信义区东兴路37号9楼 |
主权项 |
一种多晶矽晶片,包含:复数晶粒,其具有一长径及一短径,其中该复数晶粒之该长径与该短径之一比值系不大于3,符合该比值之尺寸的晶粒所占之面积系不小于多晶矽晶片之面积的25%。 |
地址 |
新竹县湖口乡工业一路3号 |