制造非易失浮栅存储单元的方法和由此制造的存储单元

摘要

本发明涉及制造非易失浮栅存储单元的方法和由此制造的存储单元。一种非易失存储单元具有带有顶表面的、第一导电型的单晶基板。第二导电型的第一区域在该基板中是沿着该顶表面的。第二导电型的第二区域在该基板中是沿着该顶表面的，与第一区域隔开。沟道区域是第一区域和第二区域。字线栅紧邻第一区域地位于沟道区域的第一部分之上。字线栅被第一绝缘层从沟道区域隔开。浮栅位于沟道区域的另一部分之上。耦合栅位于浮栅的上表面之上并且被第三绝缘层从那里绝缘。擦除栅邻近于浮栅的第二侧壁定位。擦除栅位于第二区域之上并且被从那里绝缘。

主权项

一种非易失存储单元，包括：具有顶表面的、第一导电型的单晶基板；沿着所述顶表面在所述基板中的、第二导电型的第一区域；与所述第一区域隔开的、沿着所述顶表面在所述基板中的、第二导电型的第二区域；在所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域；紧邻所述第一区域位于所述沟道区域的第一部分之上的字线栅，所述字线栅被第一绝缘层从所述沟道区域隔开；位于所述沟道区域的另一部分之上的浮栅，所述浮栅具有被第二绝缘层从所述沟道区域分离的下表面，和与所述下表面相对的上表面；所述浮栅具有邻近于所述字线栅但与所述字线栅分离的第一侧壁；和与所述第一侧壁相对的第二侧壁，其中所述第二侧壁和所述上表面形成锐利边缘，所述第二侧壁的长度比所述第一侧壁的长度大，并且所述上表面从所述第一侧壁向上倾斜到所述第二侧壁；位于所述浮栅的所述上表面之上并且被第三绝缘层从那里绝缘的耦合栅；和邻近于所述浮栅的所述第二侧壁定位的擦除栅；所述擦除栅位于所述第二区域之上并且被从那里绝缘。