检验及制造半导体晶圆之方法

摘要

本发明揭示一种制造复数个半导体晶圆之方法，该方法包含：微观检验至少一个微观检验图案场内之至少一个位置且判定表示该晶圆在该经微观检验位置处之一性质之至少一个参数值；宏观检验该至少一个微观检验图案场内之复数个位置且针对该宏观检验图案场之每一宏观检验位置基于针对该宏观检验位置所记录之光强度且基于表示该晶圆在此图案场之该微观检验位置处之性质之至少一个参数值来判定表示该晶圆在该宏观检验位置处之性质之至少一个参数值。

主权项

一种制造复数个半导体晶圆之方法，其中每一晶圆具有复数个晶粒，其中该复数个晶粒包括微观结构根据一相同配置图案配置于其中之对应图案场，且其中该方法包含：微观检验至少一个微观检验图案场内之至少一个位置且判定表示该晶圆在该微观检验位置处之一性质之至少一个参数值，其中该微观检验包含将量测辐射导引至该位置且使用放大光学器件侦测自该位置射出之辐射；宏观检验该至少一个微观检验图案场内之复数个位置，其中该宏观检验包含：将量测光导引至复数个图案场；使用缩微光学器件将经照明之复数个图案场成像至一侦测器元件阵列上且记录由该等侦测器元件侦测之光强度，其中将该等位置中之每一者同时成像至一或多个毗邻侦测器元件上，且其中该至少一个微观检验图案场中之每一者内之该等宏观检验位置之数目比此图案场内之该等微观检验位置之数目大至少5倍；及针对该宏观检验图案场之每一宏观检验位置，基于针对该宏观检验位置所记录之该光强度且基于表示该晶圆在此图案场之该微观检验位置处之该性质之该至少一个参数值来判定表示该晶圆在该宏观检验位置处之该性质之至少一个参数值。