半导体装置

摘要

本发明的目的是提供一种能够高速工作的大型半导体装置。在同一基板上形成包含单晶半导体层的顶闸极电晶体和包含非晶矽(或微晶矽)的半导体层的底闸极电晶体。然后，使用相同的层形成各个电晶体所具有的闸电极，并使用相同的层形成源电极及汲电极。藉由这样，减少制造步骤。也就是说，藉由对底闸极电晶体的制造程序中仅略微增加步骤，就可以制造两种电晶体。

主权项

一种半导体装置，包括：第一半导体层；在该第一半导体层上的第一绝缘层；在该第一绝缘层上的第一导电层及第二导电层；在该第一导电层及该第二导电层上的第二绝缘层；以及在该第二绝缘层上的第二半导体层，其中该第一半导体层包含结晶矽，以及其中该第二半导体层包含氧化物半导体。