光半导体装置用导线架及其制造方法

摘要

本发明提供一种于光之波长为紫外区之300nm至近红外区之800nm中之反射特性良好的导线架，进而散热性、耐蚀性、反射率之长期稳定性优异之导线架。一种可见光区之反射特性优异且耐蚀性优异之光半导体装置用导线架，其系于基体上形成有由纯银构成之纯银层者，该纯银层之算术平均高度Ra为0.001~0.2μm，且于其表面形成有由耐蚀性优异之金属材料构成之平均膜厚0.001μm以上、0.2μm以下之皮膜。

主权项

一种光半导体装置用导线架，其系于基体上形成有由纯银构成之纯银层者，其特征在于，该纯银层之算术平均高度Ra为0.001~0.2μm，且于其表面形成有由对硫化腐蚀之耐蚀性优异之金属材料构成之平均膜厚0.001μm以上、0.2μm以下之皮膜，该皮膜直接搭载有光半导体晶片；形成该皮膜之金属材料系选自由金、金合金、银合金、铂、铂合金、铑、铑合金、铟及铟合金组成之群中的金属或合金；该光半导体装置用导线架之JIS H 8502中规定之硫化氢气体浓度3ppm、24小时后的分级(Rating Number)为9以上。