| 主权项 |
一种具有高透光率之可挠式太阳能电池结构，其包含：一可挠式基板，具有一粗糙表面；一第一氧化锌透明导电膜，配置于该可挠式基板上并具有(002)以及(103)之结晶面，具有一粗糙表面，由阴极电弧电浆沉积系统制备之，其片电阻值系介于370Ω/□至470Ω/□之间，于可见光之穿透率系介于90%至95%之间，其晶粒尺寸系介于1.6奈米至2.6奈米之间；一P型半导体层，具有一粗糙表面，配置于该第一氧化锌透明导电膜上，该P型半导体层内镶埋一结晶矽质，该结晶矽质之晶粒尺寸系介于1微米至5微米之间且占该P型半导体层之比例系为80%至100%之间；一本质型(i型)半导体层，配置于该P型半导体层上，厚度系介于0.5微米到2微米之间并具有一粗糙表面，镶埋一微晶矽质，且该微晶矽质之晶粒尺寸系介于10奈米至25奈米之间且占该本质型(i型)半导体层之比例系为30%至50%之间；一N型半导体层，配置于该本质型(i型)半导体层上，具有一粗糙表面，镶埋一奈米晶矽质，且该奈米晶矽质之晶粒尺寸系小于10奈米且占该N型半导体层之比例系为10%至20%之间；以及一第二氧化锌透明导电膜，配置于该N型半导体层上，具有一粗糙表面，并具有(002)以及(103)之结晶面，由阴极电弧电浆沉积系统制备之，其片电阻值系介于250Ω/□至350Ω/□之间，其平均粗糙度系介于2.5奈米至9.5奈米之间，其于可见光之穿透率系介于90%至95%之间，其晶粒尺寸系介于1.6奈米至2.6奈米之间；其中该N型半导体层之氧含量系介于5×1018到5×1017原子/立方公分之间；且该本质型(i型)半导体层之厚度系为该N型半导体层之厚度的7至15倍之间，且该本质型(i型)半导体层之厚度系为该P型半导体层之厚度的20至35倍之间；以及该N型半导体层之能隙大于该本质型(i型)半导体层之能隙，而该本质型(i型)半导体层之能隙系大于该P型半导体层之能隙。 |
