| 发明名称 |
用于比较在ＳeＯＩ上之一内容可定址的记忆体之资料的装置 |
| 摘要 |
本发明，根据一观点，系有关于一种用以比较一内容可定址记忆体中的资料之装置，包含：一记忆体单元，其系由一第一电晶体储存一资料位元(BIT)以及一第二电晶体储存该资料位元之补体(BITb)所构成，该等电晶体系构成在一绝缘体上覆半导体基板之上，并且每一电晶体具有一前控制闸极以及一后控制闸极能够经控制用以阻断该电晶体；一比较电路，系经组构以：于读取模式操作该第一及第二电晶体，其系藉由对每一电晶体之该前控制闸极施以一标称读取电压，同时控制每一电晶体之该后控制闸极，其中一者具有所提出的位元(DATA)，另一者具有该提出位元之补体(DATAb)，若该提出的位元(DATA)与该储存的位元(BIT)相对应则用以阻断该等电晶体中该通过的电晶体；以及侦测与每一电晶体之该源极连接的一源极线路(SL)上电流存在与否，用以显示该所提出的位元(DATA)及该储存的位元(BIT)是否相同。 |
| 申请公布号 |
TWI466120 |
申请公布日期 |
2014.12.21 |
| 申请号 |
TW099143142 |
申请日期 |
2010.12.10 |
| 申请人 |
斯欧埃技术公司 法国 |
发明人 |
马兹勒 卡洛斯;费兰特 理查德 |
| 分类号 |
G11C15/04 |
主分类号 |
G11C15/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
黄庆源 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;陈彦希 台北市大安区敦化南路1段245号8楼 |
| 主权项 |
一种用以比较一内容可定址记忆体中的资料之装置，包含：一记忆体单元，其系由一第一电晶体(T1)储存一资料位元(BIT)以及一第二电晶体(T2)储存该资料位元之补体(BITb)所构成，该等电晶体系构成在一绝缘体上覆半导体基板之上，并且每一电晶体具有一前控制闸极(CG)以及一后控制闸极(BG1、BG2)，其能够经控制以阻断该电晶体；一比较电路，系经组构以：于读取模式操作该第一及第二电晶体，其系藉由对每一电晶体之该前控制闸极施以一标称读取电压，同时控制每一电晶体之该后控制闸极，其中一者具有所提出的位元(DATA)，另一者具有该提出位元之补体(DATAb)，若该提出的位元(DATA)与该储存的资料位元(BIT)相对应则用以阻断该等电晶体中通过的电晶体；以及侦测与每一电晶体之源极连接的一源极线路(SL)上电流存在与否，以指示该所提出的位元(DATA)及该储存的资料位元(BIT)是否相同。 |
| 地址 |
法国 |
