片状凹形通道闸电极及其形成方法

摘要

兹揭示一种片状凹形通道闸电极，包括基材、闸极介电层、第一导电层与第二导电层。基材具有第一沟渠，闸极介电层位于第一沟渠的表面，而第一导电层嵌入第一沟渠中。第二导电层位于第一导电层上，并与第一导电层在主表面之上对齐，其中第二导电层底部表面积实质上小于第二导电层的顶部表面积。本发明还提供了一个形成片状凹形通道闸电极的方法。

主权项

一种形成片状凹形通道闸电极的方法，包括：提供具有一阵列区域和一周边区域的一基材；在该阵列区域中形成一第一沟渠；在该基材上形成一闸极介电层和一第一导电层，而至少填入该第一沟渠中；在该阵列区域的该第一导电层之上形成一第二沟渠，其中该第二沟渠与该第一沟渠对齐；在该第二沟渠的一侧壁上形成一间隙壁；以及在该第二沟渠中形成一第二导电层。