| 发明名称 |
半导体元件之检测方法及其检测系统 |
| 摘要 |
一种半导体元件之检测方法及其检测系统。此检测方法包括决定一测试静电放电电压的准位。提供多个样本元件。施加该测试静电放电电压于该些样本元件，以检测该些样本元件的静电放电速度。检测该些样本元件的静电放电耐受电压。记录该静电放电耐受电压与该静电放电速度之关系于一资料库。施加该测试静电放电电压于该半导体元件，以检测该半导体元件的一静电放电速度。依据该半导体元件的静电放电速度，比对该资料库，以决定该半导体元件的静电放电耐受电压。 |
| 申请公布号 |
TWI465736 |
申请公布日期 |
2014.12.21 |
| 申请号 |
TW101137506 |
申请日期 |
2012.10.11 |
| 申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
陈宗德;戴君帆;傅瀚葵;王建评;周佩廷 |
| 分类号 |
G01R31/00 |
主分类号 |
G01R31/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种半导体元件之检测方法，包括：决定一测试静电放电电压的准位；提供多个第一样本元件；施加该测试静电放电电压于该些第一样本元件，以检测该些第一样本元件的静电放电速度；检测该些第一样本元件的静电放电耐受电压；记录该些静电放电耐受电压与该些静电放电速度之关系于一资料库；施加该测试静电放电电压于该半导体元件，以检测该半导体元件的一静电放电速度；以及依据该半导体元件的静电放电速度，比对该资料库，以决定该半导体元件的静电放电耐受电压。 |
| 地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
