发明名称 多通道储存装置及在其中储存资料之方法
摘要 一种多通道储存装置可包括一从主机装置接收输入资料之主机控制器以及一在下游储存之前,储存该输入资料与相关错误校正资料之缓冲记忆体。从该缓冲记忆体下游之多重储存通道可以储存该输入资料与相关错误校正资料于一非挥发性储存媒体上之该等储存通道之至少一者中。;该主机控制器与该缓冲记忆体之间的错误校正引擎可以对来自该主机装置之输入资料,执行错误校正编码,以产生该相关错误校正资料,以储存于该缓冲记忆体中。这种错误校正引擎可以在该缓冲记忆体以及该等储存通道中避免资料错误。
申请公布号 TWI466126 申请公布日期 2014.12.21
申请号 TW097126775 申请日期 2008.07.15
申请人 英特尔股份有限公司 美国 发明人 安德鲁 沃根;珍华德 坎恩;索米亚 贾雅秦德伦
分类号 G11C29/42 主分类号 G11C29/42
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种多通道储存装置,包括:一主机控制器,以从主机装置接收输入资料;一缓冲记忆体,以在下游储存之前,储存该输入资料与相关错误校正资料;从该缓冲记忆体下游之多重储存通道,以储存该输入资料与相关错误校正资料于一非挥发性储存媒体上之该等储存通道之至少一者中;以及该主机控制器与该缓冲记忆体之间之一错误校正引擎,以对来自该主机装置之输入资料,执行错误校正编码,以产生该相关错误校正资料,以储存于该缓冲记忆体中。
地址 美国