| 主权项 |
一种薄膜形成装置，系具备有：真空槽、和被配置在前述真空槽内，并放出薄膜材料粒子之薄膜材料源、和被配置在前述真空槽内之前述薄膜材料粒子所附着的位置处之水晶振动元件、和测定前述水晶振动元件之共振频率的测定装置，并如下述一般地被构成：藉由前述薄膜材料粒子，而在被配置在前述真空槽内之成膜对象物表面与前述水晶振动元件表面上使薄膜成长，同时，反覆对前述共振频率作测定，而根据现在时刻之测定结果与前述薄膜之成长开始时的测定结果，来计算出从前述成长开始时起直到前述现在时刻为止所形成的前述成膜对象物表面之前述薄膜的膜厚，再与目标值作比较，而由比较结果来使前述薄膜之成长结束，该薄膜形成装置，其特征为：前述测定装置，系在前述薄膜之成长中，求取出身为前述现在时刻之测定结果和紧接在前述现在时刻之前的过去时刻之测定结果的两者间之差的频率变化值，并当产生有前述水晶振动元件表面之前述薄膜的剥落之情况时，从前述频率变化值来算出剥落膜厚值，在由前述现在时刻以后之将来时刻的测定结果与前述成长开始时的测定结果所求取出之前述水晶振动元件表面的薄膜之膜厚值上，加算上前述剥落膜厚值，而求取出修正膜厚值，将前述修正膜厚值换算为前述成膜对象物表面之膜厚值，并与前述目标值作比较。 |
