反向光学邻近校正的方法

摘要

一种用于制造具有最小面积之半导体结构的反熔丝记忆体胞元的方法。该方法包括提供用于该半导体结构的基准图型，并施用包括将该基准图型的经选择角反向的反向OPC技术。该反向OPC技术使用光微影扭曲以提供刻意相关于该基准图型扭曲之所产生的经制造图型。藉由将几何基准图型的角反向，所产生的经扭曲图型将具有相对于该原始基准图型受缩减的面积。此技术有利于缩减半导体结构之经选择区域的该面积，其可能不能另外透过正常设计参数缩减。

主权项

一种反向光学邻近校正(OPC)的方法，包含：提供半导体结构的基准图型，该基准图形在形状上系为矩形的；针对藉由光微影扭曲的面积缩减，选择该基准图型的面积；，将该面积的至少一角区域反向，以形成具有比该基准图型更小之面积的反向OPC成像图型；制造该半导体结构而具有对应到受滚圆的该至少一角区的区域。