| 发明名称 |
用以增进离子植入系统中之离子源的寿命及性能之方法与设备 |
| 摘要 |
一种离子植入系统和制程，其中离子植入系统的离子源性能与寿命系藉由采用同位素浓化之掺质材料、或采用具有效提供增进效果之补充气体的掺质材料而增进。 |
| 申请公布号 |
TWI466179 |
申请公布日期 |
2014.12.21 |
| 申请号 |
TW102101998 |
申请日期 |
2011.02.25 |
| 申请人 |
尖端科技材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
肯恩罗伯;史维尼约瑟夫Ｄ;艾维拉安东尼Ｍ;瑞理查Ｓ |
| 分类号 |
H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种掺质气体组成物，包括：一掺质气体与一补充气体，其中该补充气体包括一稀释气体和一共种(co-species)气体的至少一者，且其中该掺质气体和该共种气体(若存在)的至少一者经同位素浓化(isotopically enriched)至超过至少一种锗同位素的天然含量(natural abundance level)。 |
| 地址 |
美国 |
