| 摘要 |
1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, состоящее из монокристаллической структуры, которая выполнена сферической или частично сферической и содержит сферическую зону активного р-n гетероперехода, на противоположных частях которой напротив друг друга сформированы р-гетероструктура и n-гетероструктура, соединенные с электродом через контактную площадку, и внешней оболочки, покрывающей монокристаллическую структуру и состоящей из, по меньшей мере, одного слоя градиентного покрытия с коэффициентом преломления менее 2,47.2. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п. 1, в котором, по меньшей мере, один электрод выполнен из светопропускающего материала.3. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п. 1, в котором, по меньшей мере, одна из р-гетероструктуры или n-гетероструктуры покрыта, по меньшей мере, одним слоем металлической решетки.4. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п. 1, в котором, по меньшей мере, одна контактная площадка выполнена круглой. |
