| 摘要 |
<p>Dispositif de mémoire, comprenant au moins une cellule-mémoire comportant une première cellule-mémoire élémentaire du type SRAM (CELSR) comportant deux inverseurs mutuellement connectés de façon croisée, deux groupes comportant chacun au moins une cellule-mémoire élémentaire non volatile, les cellules-mémoire élémentaires non volatiles (E1, E2) des deux groupes étant connectées d'une part à une borne d'alimentation (BAL) et d'autre part aux sorties et aux entrées des deux inverseurs par l'intermédiaire d'un étage d'interconnexion commandable (N2, N7, N4, N5).</p> |
