| 摘要 |
<p>(과제) 처리실 내에 로(爐) 내 온도 경사를 설정하지 않아도, 종형 피(被)처리체 보트의 상단에 쌓인 실리콘 웨이퍼로의 성막량과, 하단에 쌓인 피처리체로의 성막량과의 불균일을 억제하는 것이 가능한 종형 배치식 성막 장치를 제공하는 것. (해결 수단) 복수의 실리콘 웨이퍼(W)에 대해 일괄하여 성막을 행하는 처리실(101)과, 실리콘 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 장치(131)와, 처리실(101)의 내부를 배기하는 배기 기구(130)와, 처리실(101)을 수용하는 수용 용기(102)와, 수용 용기(102)의 내부에, 처리에 사용되는 가스를 공급하는 가스 공급 기구(120)와, 처리실(101)의 측벽에 설치된 복수의 가스 도입공(101a)을 구비하고, 처리에 사용되는 가스를, 복수의 가스 도입공(101a)을 개재하여, 처리실(101)의 내부에 복수의 실리콘 웨이퍼(W)의 처리면에 대하여 평행한 흐름으로 공급하면서, 처리실(101) 내에 로 내 온도 경사를 설정하지 않고, 복수의 실리콘 웨이퍼(W)에 대해 일괄하여 성막을 행한다.</p> |
