DISPOSITIF DE MEMOIRE COMPACT ASSOCIANT UN PLAN MEMOIRE DU TYPE SRAM ET UN PLAN MEMOIRE DU TYPE NON VOLATIL, ET PROCEDES DE FONCTIONNEMENT

摘要

Dispositif de mémoire, comprenant au moins une cellule-mémoire (CEL) comportant une cellule-mémoire élémentaire du type SRAM (CELSR) et une unique cellule-mémoire élémentaire non volatile du type EEPROM (E1) connectée entre une borne d'alimentation (BAL) et la cellule-mémoire élémentaire du type SRAM (CELSR).