Hochspannungskaskadendiode mit Hemt und einer monotlithisch integrierten Halbleiterdiode

摘要

Eine Ausführungsform einer Kaskadendiode mit einer Durchbruchspannung über 300 V weist einen HEMT und eine Si-Schottky-Diode auf. Der HEMT weist ein Gate, einen Drain, eine Source und eine zweidimensionale Elektronengas-Kanalregion auf, die die Source und den Drain verbindet und die von dem Gate gesteuert wird. Der HEMT weist eine Durchbruchspannung von über 300 V auf. Die Si-Schottky-Diode ist monolithisch mit dem HEMT integriert. Die Si-Schottky-Diode weist eine Kathode, die mit der Source des HEMT verbunden ist und eine Anode, die mit dem Gate des HEMT verbunden ist, auf. Die Si-Schottky-Diode weist eine Durchbruchspannung von weniger als 300 V und eine Durchlassspannung von weniger als oder gleich 0,4 V auf. Die Anode der Si-Schottky-Diode bildet die Anode der Kaskadendiode, und der Drain des HEMT bildet die Kathode der Kaskadendiode.