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<p>게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하고, 게이트선 위에 제1 게이트 절연막 및 제2 게이트 절연막을 형성한다. 제2 게이트 절연막 위에 반도체 패턴, 소스 전극을 포함하는 데이터선, 및 드레인 전극을 형성하고, 결과물 위에 보호막을 적층한다. 드레인 전극의 일부 및 화소 영역 상에 놓이는 제1 부분과 제1 부분보다 두꺼운 제2 부분을 포함하는 제1 감광막 패턴을 보호막 위에 형성한다. 제1 감광막 패턴을 전면 식각하여 제1 부분이 제거된 제2 감광막 패턴을 형성하고, 제2 감광막 패턴을 마스크로 하여 노출되어 있는 화소 영역 내의 보호막을 식각한다. 결과물 위에 화소 전극용 도전체막을 형성하고, 제2 감광막 패턴을 제거함으로써 화소 전극을 형성한다.</p> |
