发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Metalloxidfilms und Metalloxidfilm
摘要 <p>Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Metalloxidfilms bereit, welches in der Lage ist, einen Metalloxidfilm mit geringem Widerstand bei niedrigen Kosten herzustellen. In dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Metalloxidfilms wird eine Lösung (7), die Zink enthält, auf ein Substrat (1) gesprüht, das unter Nicht-Vakuum platziert ist, und dann wird eine Dotierlösung (5), die eine Dotiersubstanz enthält, auf das Substrat (1) gesprüht. Danach wird ein abgeschiedener Metalloxidfilm (10) einer widerstandsverringernden Behandlung unterzogen. Die molare Konzentration der zu dem Substrat (1) zugeführten Dotiersubstanz in Bezug auf die molare Konzentration des zu dem Substrat (1) zugeführten Zinks ist nicht kleiner als ein vorbestimmter Wert.</p>
申请公布号 DE112012006124(T5) 申请公布日期 2014.12.18
申请号 DE20121106124T 申请日期 2012.03.28
申请人 TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION 发明人 SHIRAHATA, TAKAHIRO,;HIRAMATSU, TAKAHIRO,;ORITA, HIROYUKI,
分类号 C01G9/02 主分类号 C01G9/02
代理机构 代理人
主权项
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