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OELD mit: a) auf einem Substrat (110) hergestellten Transistoren (T); b) einer Isolierschicht (113) auf den Transistoren (T); c) einer auf der Isolierschicht (113) ausgebildeten unteren Elektrode (117), die mit der jeweiligen Source oder dem jeweiligen Drain der Transistoren (T) verbunden ist; d) einer Abgrenzschicht (118) mit Öffnungen zum Freilegen eines Teils der unteren Elektrode (117); e) einer auf der Abgrenzschicht (118) ausgebildeten Buselektrode (119); f, g) einer organischen Lichtemissionsschicht (120), die so ausgebildet ist, dass sie die untere Elektrode (117) und die Abgrenzschicht (118) bedeckt, wobei sie so strukturiert ist, dass sie zumindest einen Teil der Buselektrode (119) freilegt; und h) einer oberen Elektrode (121), die auf der organischen Lichtemissionsschicht (120) ausgebildet ist und so konfiguriert ist, dass sie mit der freigelegten Buselektrode (119) in Kontakt steht; wobei die Abgrenzschicht (118) so strukturiert ist, dass ein Teil der Abgrenzschicht (118) Vertiefungen (DEP) aufweist, und die Buselektrode (119) in den vertieften Abschnitten (DEP) ausgebildet ist. |
