ウェーハ幾何形状メトリックを用いるオーバーレイ及び半導体プロセス制御

摘要

本発明は、第１及び第２のプロセスレベルのウェーハ表面の複数の点でのウェーハ形状値を取得すること、各点でのウェーハ形状変化値を生成すること、各点での形状変化の傾き値の組を生成すること、生成された形状変化の傾き値の組を用いてプロセスツールコレクタブルの組を計算すること、プロセスツールコレクタブルの組を用いて各点での形状変化傾き残差値を計算することによって形状変化傾き残差（ＳＳＣＲ）の組を生成すること、表面にわたって分散される複数のメトリック解析領域を定義すること、及び各メトリック解析領域内の１つ以上のＳＳＣＲに基づいて各メトリック解析領域に関する１つ以上の形状変化傾き残差メトリックを生成することを含み得る。