| 摘要 |
Speicherbauelement, umfassend: ein FinFET-Auswahlbauelement mit einem Steg (40) und ein Speicherelement (20), wobei das FinFET-Auswahlbauelement ein Kontaktelement (50) aufweist, das räumlich zwischen einer oberen Oberfläche des Stegs (40) und dem Speicherelement (20) angeordnet und elektrisch leitfähig an den Steg (40) gekoppelt ist, wobei das Speicherelement ein NVM-Speicherelement ist, und wobei das Kontaktelement (50) teilweise den Steg umhüllt, und wobei das Speicherelement (20) ausgewählt ist aus einer Gruppe von Speicherelementen bestehend aus PCRAM-, MRAM-, CBRAM- und FeRAM-Speicherelement. |
