发明名称 一种控制飞秒激光诱导晶硅表面微纳结构形态的方法
摘要 本发明涉及一种控制飞秒激光诱导晶硅表面微纳结构形态的方法,该方法在单点飞秒激光诱导晶硅表面周期性微纳结构几何形态控制的基础上,通过对飞秒激光线偏振方向与激光直写方向进行控制,实现了对直写线宽的调控,当激光直写方向与线偏振方向平行时得到最小线宽表面周期性微纳结构,当激光直写方向与线偏振方向垂直时得到最大线宽表面周期性微纳结构。本发明的有益效果为:本发明通过简单的基于激光偏振态的调节及飞秒激光脉冲序列的应用,能够精确控制飞秒激光诱导晶硅表面周期结构的几何形态,从而为飞秒激光直写诱导大面积周期结构的产生提供了精确的可控参数,适用于飞秒激光直写精确诱导大面积表面周期结构的制造。
申请公布号 CN104209652A 申请公布日期 2014.12.17
申请号 CN201310209667.8 申请日期 2013.05.31
申请人 中自高科(苏州)光电有限公司 发明人 姜澜;韩伟娜;李晓炜;徐乐;袁艳萍
分类号 B23K26/36(2014.01)I 主分类号 B23K26/36(2014.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种控制飞秒激光诱导晶硅表面微纳结构形态的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一:打开脉冲整形器,调整光路,确保激光入射方向与所加工样本表面垂直;步骤二:在线偏振态飞秒激光作用下调节不同的偏振方向,同时对激光偏振态进行调控;步骤三:在线偏振态飞秒激光作用下的表面周期性结构呈现出椭圆形几何形态,基于脉冲序列的表面周期性微纳结构进行各向异性消除;以及步骤四:控制激光直写方向与激光线偏振方向调整扫描线宽。
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