| 发明名称 | 非易失性存储器件 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件包括第一存储块至第N存储块，其中N为整数且N≥3。该第一存储块至第N存储块中的每一存储块包括：第一存储串至第M-1存储串，其中该第一存储串至第M-1存储串中的每一存储串包括漏极侧存储器单元、源极侧存储器单元、以及连接所述漏极侧存储器单元与所述源极侧存储器单元的管道晶体管，其中M为整数且M≥2；以及第M存储串，其包括邻近第一存储串至第M-1存储串中的该第一存储串而形成的漏极侧存储器单元，且包括邻近该第一存储串至第M-1存储串中的第M-1存储串而形成的源极侧存储器单元。 | ||
| 申请公布号 | CN104217758A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201410003375.3 | 申请日期 | 2014.01.03 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 朴进寿 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括第一存储块至第N存储块，其中N为整数且N≥3，以及其中所述第一存储块至第N存储块中的每一存储块包括：第一存储串至第M‑1存储串，其中所述第一存储串至第M‑1存储串中的每一存储串包括漏极侧存储器单元、源极侧存储器单元、以及连接所述漏极侧存储器单元与所述源极侧存储器单元的管道晶体管，其中M为整数且M≥2；以及第M存储串，其包括邻近第一存储串至第M‑1存储串中的所述第一存储串而形成的漏极侧存储器单元，且包括邻近所述第一存储串至第M‑1存储串中的第M‑1存储串而形成的源极侧存储器单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||