发明名称 | 一种有机薄膜晶体管的制备方法 | ||
摘要 | 一种有机薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:选衬底;在所述衬底层上制备栅电极层;在所述栅电极层上制备栅介电层;在所述栅介电层上制备半导体活性层;在半导体活性层上制备带微通道凹槽的源漏微通道层;在所述源漏微通道层上制备源电极和漏电极。本发明利用微流控技术,使用液体形态的导电材料通过制备好的微通道来代替原有的固态源漏电极,从而完成顶接触结构的有机薄膜晶体管,不仅简化了制备方法,降低了制备器件的成本,而且在保证顶接触结构有机薄膜晶体管原有的优势的前提下,很好的解决了对于顶接触结构有机薄膜晶体管普遍存在的缺陷,即由于沉积电极时对于半导体材料的影响的缺点,进一步提高了器件的性能。 | ||
申请公布号 | CN104218152A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
申请号 | CN201410437792.9 | 申请日期 | 2014.09.01 |
申请人 | 南京邮电大学 | 发明人 | 葛·瑞金;谢业磊;杨昕;黄维;王洋 |
分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 李纪昌;曹翠珍 |
主权项 | 一种有机薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:选衬底;在所述衬底上制备栅电极层;在所述栅电极层上制备栅介电层;在所述栅介电层上制备半导体活性层;在半导体活性层上制备带微通道凹槽的源漏微通道层;在所述源漏微通道层上制备源电极和漏电极,其特征在于:所述源电极和漏电极之间的间距小于等于200μm,是将源漏微通道层的微通道凹槽上方凿孔,再用环氧树脂胶将孔与等直径的空心导管粘连成一体,最后在导管的一端注入材料,另一端加压抽取,最终在源漏微通道层上形成源电极和漏电极。 | ||
地址 | 210046 江苏省南京市亚东新城区文苑路9号 |