| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有半导体主体的场效应半导体器件，该半导体主体具有主表面。该半导体主体在与该主表面基本正交的垂直截面中包括：第一导电类型的漂移层；所述第一导电类型的半导体台面，与所述漂移层邻接、基本延伸到所述主表面并且具有两个侧壁；以及第二导电类型的两个第二半导体区域，布置在所述半导体台面附近。两个第二半导体区域中的每一个至少与所述漂移层形成pn结。至少在台面的两个侧壁之一处形成整流结。此外，提供用于制作异质结半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104218087A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201410239744.9 | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J·康拉斯;H-J·舒尔策;R·拉普;W·维尔纳;F·普菲尔施 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种场效应半导体器件，包括半导体主体，所述半导体主体具有主表面并且在与所述主表面基本正交的垂直截面中包括：‑第一导电类型的漂移层；‑所述第一导电类型的半导体台面，与所述漂移层邻接、基本延伸到所述主表面并且包括第一侧壁，其中在所述第一侧壁处形成整流结；以及‑第二导电类型的两个第二半导体区域，布置在所述半导体台面附近，所述两个第二半导体区域中的每一个至少与所述漂移层形成pn结。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||