调整半导体器件中的应变

摘要

一种鳍式场效应晶体管（FinFET）包括位于衬底之上的半导体层，其中，半导体层形成FinFET的沟道。第一硅锗氧化物层位于衬底之上，其中，第一硅锗氧化物层具有第一锗百分比。第二硅锗氧化物层位于第一硅锗氧化物层之上。第二硅锗氧化物层具有高于第一锗百分比的第二锗百分比。栅极介电层位于半导体层的侧壁和顶面上。栅电极位于栅极介电层之上。本发明还提供了一种调整半导体器件中的应变。

主权项

一种器件，包括：衬底；以及鳍式场效应晶体管（FinFET），包括：位于所述衬底之上的半导体层，所述半导体层形成所述FinFET的沟道；位于所述衬底之上的第一硅锗氧化物层，所述第一硅锗氧化物层具有第一锗百分比；位于所述第一硅锗氧化物层之上的第二硅锗氧化物层，所述第二硅锗氧化物层具有高于所述第一锗百分比的第二锗百分比；位于所述半导体层的侧壁和顶面上的栅极介电层；和位于所述栅极介电层之上的栅电极。