等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置包括一反应腔室，所述反应腔室内设置有相互平行的上电极和下电极，下电极设置于基台内，所述基台包括一静电夹盘，基片设置于所述静电夹盘之上进行制程，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：环形绝缘体，其环绕所述静电夹盘和/或所述静电夹盘的上方区域；第一电极，其嵌设于所述环形绝缘体中；第一射频功率源，通过第一射频匹配器与所述下电极相连，用以提供射频功率在所述上电极和所述下电极之间形成垂直方向的射频电场以产生等离子体；脉冲直流电源，其连接于所述第一电极。本发明能够改善基片制程的均一性。

主权项

一种等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置包括一反应腔室，所述反应腔室内设置有相互平行的上电极和下电极，下电极设置于基台内，所述基台包括一静电夹盘，基片设置于所述静电夹盘之上进行制程，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：环形绝缘体，其环绕所述静电夹盘和/或所述静电夹盘的上方区域；第一电极，其嵌设于所述环形绝缘体中；第一射频功率源，通过第一射频匹配器与所述下电极相连，用以提供射频功率在所述上电极和所述下电极之间形成垂直方向的射频电场以产生等离子体；脉冲直流电源，其连接于所述第一电极。