基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法

摘要

本发明公开了一种基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法，通过采用硼扩散和离子注入方式相结合实现n⁺、p⁺区域的掺杂，且该工艺无需在背面的n⁺/p⁺界面进行隔离，即可有效地避免电池的隧道结漏电。

主权项

基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）选取电阻率在5‑12Ω·cm 的n型单晶硅；（2）对n型单晶硅衬底进行双面抛光，抛光后进行化学清洗；（3）采用扩散炉对n型硅片背表面进行硼扩散；（4）采用印刷或者PECVD方式在硼扩散的背表面沉积制绒掩膜；（5）硼扩散背面n型接触区域定义：通过激光或印刷腐蚀性浆料的方法蚀刻去掉背面n型区域的制绒掩膜；（6）采用氢氧化钠溶液在n型硅片的前表面及背面开膜区域进行织构化处理，形成绒面；（7）去除背面的制绒掩膜；（8）前表面离子注入：采用离子注入的方法在n型硅片的前表面进行磷注入；（9）背面开孔区域（4）进行离子注入：采用离子注入的方法在背面开孔区域离子注入磷；（10）退火和氧化：退火温度控制在800‑900℃，退火时间控制在20‑60℃，在N型硅片的前后表面形成氧化层，所述氧化层厚度为3‑15nm；（11）沉积前表面和背面钝化层，在n型硅片的双面进行SiNx的沉积；（12）硼扩散背面p型接触区域定义：通过激光或印刷腐蚀性浆料的方法蚀刻去掉背面n型区域的钝化膜；（13）在n型硅片背面的n⁺⁺（7）和p⁺⁺（8）分别印刷金属浆料并烧结形成欧姆接触；其中，步骤（2）中采用氢氧化钠溶液或者TMAH溶液进行双面抛光，其抛光溶液浓度为10%‑30%的。