自调整温度的功率晶体管

摘要

自调整温度的功率晶体管，包括功率晶体管，还包括降压NMOS管，所述降压NMOS管的源和漏分别连接功率晶体管的基极和信号输入端，所述降压NMOS管的栅极通过一个或多个串联的二极管连接形式的检测三极管接地，降压NMOS管的栅极同时通过限流电阻连接信号输入端，所述检测三极管位于功率晶体管的热量辐射区域内。本实用新型所述的自调整温度的功率晶体管，仅利用附加的少数器件即可实现对功率管发热量的调整，使功率管能够持续不间断的工作，避免无谓的关机损耗；在信号输入端的引脚处同时还实现了一定的静电防护功能，提高了信号输入端的工作可靠性。

主权项

自调整温度的功率晶体管，包括功率晶体管，其特征在于，还包括降压NMOS管，所述降压NMOS管的源和漏分别连接功率晶体管的基极和信号输入端，所述降压NMOS管的栅极通过一个或多个串联的二极管连接形式的检测三极管接地，降压NMOS管的栅极同时通过限流电阻连接信号输入端，所述检测三极管位于功率晶体管的热量辐射区域内。