| 发明名称 | 半导体装置和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。 | ||
| 申请公布号 | CN103262250B | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201180059369.4 | 申请日期 | 2011.12.06 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣;松木园广志 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于：其为具有薄膜晶体管的半导体装置，所述半导体装置包括：形成在基板上的所述薄膜晶体管的栅极电极；形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层之上的供氧层；形成在所述供氧层之上的所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；和配置在所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，在所述供氧层形成有开口，所述氧化物半导体层在所述供氧层的所述开口中与所述栅极绝缘层接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||