发明名称 |
半导体发光元件用光提取体及发光元件 |
摘要 |
半导体发光元件用光提取体(1)包括:凹凸构造层(11),其在表面设置有凹凸构造(11a),且具有第一折射率(n1);及第一光提取层(12a),其设置于凹凸构造(11a)的凸部上;对于第一光提取层(12a),凸部顶部平均位置Sh与第一光提取层(12a)的凸部上界面平均位置Scv之间的距离Lcv满足式(1)10nm≦Lcv≦5000nm,凹凸构造(11a)在平均高度H满足式(2)10nm≦H≦5000nm,并且平均间距P满足式(3)50nm≦P≦5000nm,且距离Lcv、及凸部平均高度H满足式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nm。本发明可改善来自使用有光提取体(1)的半导体发光元件的光取出效率,而且可提高半导体发光元件的长期可靠性。 |
申请公布号 |
CN104221180A |
申请公布日期 |
2014.12.17 |
申请号 |
CN201380019616.7 |
申请日期 |
2013.04.11 |
申请人 |
旭化成电子材料株式会社 |
发明人 |
山口布士人;古池润;高际绫 |
分类号 |
H01L51/52(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
肖华 |
主权项 |
一种半导体发光元件用光提取体,其特征在于,包括:凹凸构造层,其在表面设置有凹凸构造,且具有第一折射率(n1);及光提取层,其设置于所述凹凸构造上,且具有第二折射率(n2),所述第一折射率(n1)与所述第二折射率(n2)实质上不同,所述光提取层包括设置于所述凹凸构造的凸部上的第一光提取层,对于所述第一光提取层,凸部顶部平均位置Sh与所述第一光提取层的凸部上界面平均位置Scv之间的距离Lcv满足下述式(1),所述凹凸构造的凸部平均高度H满足下述式(2),并且平均间距P满足下述式(3),且所述距离Lcv及所述凸部平均高度H满足下述式(4),式(1)10nm≦Lcv≦5000nm式(2)10nm≦H≦5000nm式(3)50nm≦P≦5000nm式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nm。 |
地址 |
日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地 |