发光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光器件及其制造方法，其包括以下步骤：在衬底上形成化合物半导体层，该衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻该化合物半导体层，以在芯片区域上形成发光结构并在隔离区域上形成缓冲结构；在发光结构和缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对导电支撑构件进行分割，以形成芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与发光结构间隔开。

主权项

一种制造发光器件的方法，包括：在衬底上形成化合物半导体层，所述衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的隔离区域；选择性地蚀刻所述化合物半导体层，以在所述芯片区域上形成发光结构并在所述隔离区域上形成缓冲结构；在所述发光结构和所述缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；在所述发光结构的侧表面上形成第一保护层；以及在所述发光结构上形成电极；对所述导电支撑构件进行划片，以形成单元芯片，其中，所述缓冲结构与所述发光结构间隔开，并且包括所述化合物半导体层，所述缓冲结构围绕所述发光结构，其中，形成所述发光结构和形成所述缓冲结构的步骤包括：通过选择性地蚀刻所述化合物半导体层来选择性地移除所述化合物半导体层，从而形成多个第一结构和第二结构；并且在所述第一结构和第二结构上形成反射层、第一粘附层和扩散阻挡层，从而形成所述发光结构和缓冲结构，并且形成第二粘附层，所述第二粘附层设置在导电支撑构件的底表面上，并且结合到所述缓冲结构和发光结构的顶表面上的第一粘附层；其中，所述扩散阻挡层形成在所述第一粘附层和反射层的侧表面上，其中，所述发光器件还包括形成第二保护层，所述第二保护层设置在所述缓冲结构和发光结构的侧表面上，第一电极和第二电极电连接至所述缓冲结构；其中，所述发光结构和缓冲结构中的每个均包括第一导电半导体层、位于所述第一导电半导体层上的有源层、以及位于所述有源层上的第二半导体层；所述第二保护层设置在所述第一保护层和扩散阻挡层的侧表面以及第二粘附层上，其中，所述第一电极在所述发光结构的第一导电半导体层和缓冲结构的第二导电半导体层之间设置于绝缘层和所述发光结构上的第二保护层上；其中，所述第一电极电连接到所述缓冲结构的第二导电半导体层，且电连接到所述发光结构的第一导电半导体层；其中，所述第二电极设置在位于所述缓冲结构上的第二保护层上，且电连接至所述导电支撑构件和缓冲结构的第一导电半导体层。