| 发明名称 | 一种石墨烯图案的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种石墨烯图案的形成方法，包括：在基底上形成掩蔽层，在所述基底上形成掩蔽层，所述掩蔽层内具有暴露所述基底表面的开口；在所述开口内的基底表面形成石墨烯层。其中，本发明中直接在基底表面形成石墨烯层的方式，可确保形成的石墨烯图案在基底上的精确定位；以掩蔽层的开口内形成石墨烯层的方式，可以掩蔽层的开口图形限定后续在所述基底裸露表面形成的石墨烯图案的结构，避免了对于石墨烯层进一步刻蚀，进而避免形成的石墨烯层因刻蚀而造成的质量缺陷。采用本发明可获取图案精确，质量优异的石墨烯图案。 | ||
| 申请公布号 | CN104217930A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201310224082.3 | 申请日期 | 2013.06.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 卜伟海;王文博 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种石墨烯图案的形成方法，包括：其特征在于，提供基底；在所述基底上形成掩蔽层，所述掩蔽层内具有暴露所述基底表面的开口；在所述开口内的基底表面形成石墨烯层。去除所述掩蔽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||